立命館大学

総合科学技術研究機構
金子研究室

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立命館大学より、新しいパワー半導体材料ルチル型GeO2系混晶半導体の開発とバンドギャップ制御についてプレスリリースが発表されました。
(リンク先:https://www.ritsumei.ac.jp/news/detail/?id=2775)

立命館大学より、新しいパワー半導体材料ルチル型GeO2系混晶半導体の開発とバンドギャップ制御について

プレスリリースが発表されました。

立命館大学 総合科学技術研究機構 金子研究室

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