立命館大学

総合科学技術研究機構
金子研究室

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教授


高橋 勲

 

略歴

2005年3月 東北大学理学部物理学科 卒業                                            (指導教官:中嶋一雄教授(現:名誉教授))
2007年3月 東北大学大学院理学研究科物理学専攻 博士課程前期2年 修了                        (指導教官:中嶋一雄教授(現:名誉教授))
2010年3月 東北大学大学院理学研究科物理学専攻 博士課程後期3年  修了                   (指導教官:中嶋一雄教授(現:名誉教授)) 博士(理学) 取得
2010年4月 三洋電機株式会社 研究開発本部 入社    
2012年4月 パナソニック株式会社により完全子会社化
2013年11月 名古屋大学大学院工学研究科 助教 (宇佐美徳隆研究室)
2017年8月 株式会社FLOSFIA入社 研究開発部  主任研究員
2020年12月 株式会社C&A 入社 研究開発部 主任研究員
2022年2月 東北大学未来科学技術共同研究センター 特任准教授 (吉川彰研究室)
2024年4月 Patentix株式会社 取締役、Co-CTO
2025年10月 立命館大学総合科学技術研究機構 教授

出身

愛媛県松山市
趣味: 歴史、料理、旅行

 

受賞歴

2016年7月  応用物理学会論文奨励賞 公益社団法人 応用物理学会

2009年7月  イノベイティブPV奨励賞 第6回「次世代の太陽光発電システムシンポジウム」

2007年12月 Best Poster Award 4th Materials Science School for Young Scientists

2007年6月 イノベイティブPV奨励賞 第4回「次世代の太陽光発電システムシンポジウム」

2007年3月 Poster Award IMR Workshop on Advanced Materials, March 2007

2005年11月 ポスター賞 金属材料研究所第110回講演会

 

プレスリリース

2013年2月 「実用サイズの太陽電池で世界最高効率24.7%の達成」

2018年7月  世界初! 注目の新規半導体「酸化ガリウム(Ga2O3)」を用いてノーマリーオフ型 MOSFET の動作実証に成功!

201912月 GaO®半導体で、SiC を凌駕するチャネル移動度を実現!

20224月 世界初、貴金属ルツボを使用せず実用サイズの酸化ガリウム単結晶を作製

2024年11月 世界初 ルチル型GeO2結晶によるショットキーバリアダイオード動作を確認

2024年9月 “世界初”ルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜にてN型導電性を確認 ―半導体デバイス開発へ大きく前進!―

                                                      

学会等委員歴

2016年 応用物理学会プログラム編集委員

2025年 日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門 委員

連絡先

〒525-8577

滋賀県草津市野路東1-1-1

立命館大学 びわこ草津キャンパス テクノコンプレクス 産学連携ラボ 実験室1

立命館大学 総合科学技術研究機構 金子研究室

〒525-8577 滋賀県草津市野路東1-1-1
立命館大学びわこくさつキャンパス
ハイテクリサーチセンター 141号室  143号室 (金子研学生居室・実験室)
防災システムリサーチセンター 107号室 (金子居室)

 
ご連絡は電子メールにて下記アドレスへお願いします。

E-mail:ken0710(at)fc.ritsumei.ac.jp ※(at)を@に変換して下さい。