科学研究費補助金　(代表)

• 日本学術振興会　基盤研究(B) 「超ワイドギャップp型遷移金属酸化物の創成とデバイス応用」(令和3年4月～令和6年3月)
• 日本学術振興会　基盤研究(B) 「コランダム構造をもつ超ワイドバンドギャップp型酸化物半導体に関する研究」(平成30年4月～令和3年3月)
• 日本学術振興会　若手研究(B)　「サステナブル・マテリアルを用いた高効率光触媒の開発」(平成27年4月～平成29年3月)　
• 日本学術振興会　特別研究員(PD)　奨励費　「コランダム型構造酸化物による新しい混晶系の創成とその応用探索」(平成25年4月～平成28年3月(助教採用のため途中辞退))　
• 日本学術振興会　特別研究員(DC1)　奨励費　「新規機能性酸化物半導体の創成とその応用探索」(平成22年4月～平成25年3月)

外部資金　(代表)

• 平成30年度　(公財)　国際科学技術財団　研究助成　「新しいワイドバンドギャップ半導体の探索と超低損失デバイスの開発」(平成30年4月～令和元年4月)
• 平成29年度　(公財)　コニカミノルタ科学技術振興財団　研究助成　「希ガスおよび水銀フリー真空紫外固体発光材料の研究」(平成30年2月～令和元年2月)　
• 第33回　(公財)　高柳健次郎財団　研究助成　「コランダム構造酸化物混晶による高機能半導体膜の開発」(平成29年1月～平成30年1月)　
• 第47回　(公財)　大倉和親記念財団研究助成　「新しいパワー半導体コランダム構造酸化物のデバイス化に向けた研究」(平成28年11月～平成29年10月)
• 第33回　(公財)　矢崎研究助成　奨励研究助成　「コランダム構造酸化物を用いた高耐圧トランジスタの研究」(平成28年4月～平成29年3月)
• 第58回　(公財)　みずほ学術振興財団 工学研究助成　「コヒーレントヘテロ構造酸化物による機能創成」(平成27年5月～平成28年4月)
• 第34回　(公財) スガウェザリング技術振興財団 研究助成　「高緻密性酸化クロム薄膜の耐摩耗・耐酸性コーティング膜への応用」(平成27年4月～平成28年3月) 
• 第47回　(公財)　倉田記念日立科学技術財団 倉田奨励金助成　「新規機能性酸化物を用いた省エネルギーデバイスの作製」(平成27年4月～平成28年3月)
• 第29回　(公財)　日立金属・材料科学財団 材料科学研究助成 「コランダム構造酸化物を用いた高移動度トランジスタ(HEMT)の開発」(平成27年4月～平成28年3月)
• 第32回　(公財)　カシオ科学振興財団 研究助成　「コランダム構造酸化物を用いた高移動度トランジスタ(HEMT)の開発」(平成26年12月～平成27年11月)　
• 平成26年度　(公財)　泉科学技術振興財団 研究助成　「赤サビ(a-Fe₂O₃)、黒サビ(Fe₃O₄)を用いた新規機能性デバイス応用に関する研究」(平成26年10月～平成28年9月)　
• 第30回　(公益社団法人：公財)　村田学術振興財団 研究助成　「完全格子整合系スピンデバイスの研究」　(平成26年8月～平成27年7月)