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立命館大学

総合科学技術研究機構
金子研究室

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2020年以前 研究業績

査読付き研究論文

  1. T. Yamaguchi, S. Takahashi, T. Kiguchi, A. Sekiguchi, K. Kaneko, S.Fujita, H. Nagai, M. Sato, T. Onuma, and T. Honda, “Impact of hydrochloric acid on the epitaxial growth of In2O3 films on (0001)α-Al2O3 substrates by mist CVD” Applied Physics Express, Vol.13, No.7, 075504 (1-4)(2020).
  2. R.Jinno, K Kaneko, S Fujita, “Thermal stability of α-Ga2O3films grown on c-plane sapphire substrates via mist-CVD”, AIP Advances, Vol.10, No.11, pp.115013(2020).
  3. 金子健太郎, 伊藤義人, 藤田静雄, 「バッファ層導入によるサファイア基板上α-Ga2O3薄膜の高品質化」材料, 第69巻, 第10号, pp.707-711(2020).
  4. R.Jinno, N. Yoshimura, K. Kaneko, and S. Fujita, “Enhancement of epitaxial lateral overgrowth in the mist chemical vapor deposition of α-Ga2O3 by using a-plane sapphire substrate” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.58, No.12, 120912(1-5) (2019).
  5. M.Ono, K. Ishii, K. Kaneko, T. Yamaguchi, T. Honda, S. Fujita, and T. Onuma, “Excitation-current-density and temperature dependences of deep UV cathodoluminescence in rocksalt-structured MgxZn1-xO films” Journal of Applied Physics, Vol.125, Iss.22, 225108 (1-5) (2019).
  6. K.Ishii, M. Ono, K. Kaneko, T. Onuma, T. Honda, and S. Fujita, “Pure deep-ultraviolet cathodoluminescence from rocksalt-structured MgZnO grown with carbon-free precursors” Applied Physics Express, Vol.12, No.5, 052011 (1-5), (2019).
  7. T.Uchida, R. Jinno, S. Takemoto, K. Kaneko, and S. Fujita, “Evaluation of band alignment of α-Ga2O3/α-(AlxGa1-x)2O3 heterostructures by x-ray photoelectron spectroscopy” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.4, 040314 (1-3) (2018).
  8. R.Jinno, T. Uchida, K. Kaneko, and S. Fujita, “Control of crystal structure of Ga2O3 on sapphire substrates by introduction of α-(AlxGa1-x)2O3 buffer layer” Physica Status Solidi (b), Vol.255, No.4, 17700326(1-5) (2018).
  9. T.Onuma, M. Ono, K. Ishii, K. Kaneko, T. Yamaguchi1, S. Fujita, and T. Honda, “Impact of local arrangement of Mg and Zn atoms in rocksalt-structured MgxZn1-xO alloys on bandgap and deep UV cathodoluminescence peak energies” Applied Physics Letters, Vol. 113, Iss. 6, 061903 (1-5) (2018).
  10. S.Kan, S. Takemoto, K. Kaneko, I. Takahashi, M. Sugimoto, T. Shinohe, and S. Fujitta, “Electrical properties of α-Ir2O3/α-Ga2O3 pn heterojunction diode and band alignment of the heterostructure”
    Applied Physics Letters, Vol.113, Iss.21, 212104 (1-5) (2018).
  11. (Invited) K.Kaneko, S. Fujita, and T. Hitora “A power device material of corundum-structured α-Ga2O3 fabricated by MIST EPITAXYÒ technique”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.2, 02CB18(1-5) (2018).
  12. K.Kaneko, M. Ono, T. Tanaka, T. Uchida, and S. Fujita, “Tin oxide coating by non-vacuum-based mist chemical vapor deposition on stainless steel separators for polymer electrolyte fuel cells.” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.11, 117103(1-6) (2018).
  13. S.Osaka, O. Kubo, K. Takahashi, M. Oda, K. Kaneko, H. Tabata, S. Fujita, and M. Katayama, “Unpredicted surface termination of α-Fe2O3 (0001) film grown by mist chemical vapor deposition” Surface Science, Vol.660 pp.9-15 (2017).
  14. 金子健太郎, 高木良輔, 田中孝, 人羅俊実, 藤田静雄, 「高導電性･高耐食性酸化膜で被覆された燃料電池金属セパレータ」, 材料, 第66巻, 第9号, pp.639-643 (2017).
  15. R.Jinno, T. Uchida, K. Kaneko, and S. Fujita, “Reduction in edge dislocation density in corundum-structured α-Ga2O3 layers on sapphire substrates with quasi-gradedα-(AlxGa1-x)2O3 buffer layers” Applied Physics Express, Vol.9, No.7, 071101(1-4) (2016).
  16. E.Chikoidze, H. J. von Bardeleben, K. Akaiwa, E. Shigematsu, K. Kaneko, S. Fujita, and Y. Dumont, “Electrical, optical and magnetic propertries of Sn doped α-Ga2O3 thin films” Journal of Applied Physics, Vol.120, 025109(1-9) (2016).
  17. M.Oda, K. Kaneko, S. Fujita, and T. Hitora, “Crack-free thick (∼5 μm) α-Ga2O3 films on sapphire substrates with α-(Al,Ga)2O3 buffer layers” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.12, 1202B4 (1-5) (2016).
  18. S.-D. Lee, K. Kaneko, and S. Fujita, “Homoepitaxial growth of beta gallium oxide films by mist chemical vapor deposition” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.12, 1202B8 (1-6) (2016).
  19. K.Akaiwa, K. Kaneko, K. Ichino, and S. Fujita, “Conductivity control of Sn-doped α-Ga2O3thin films grown on sapphire substrates” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.12, 1202BA (1-8) (2016).
  20. S.Fujita, M. Oda, K. Kaneko, and T. Hitora, “Evolution of corundum-structured III-oxide semiconductors: Growth, properties, and devices” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.12, 1202A3 (1-9) (2016).
  21. D.Tamba, O. Kubo, M. Oda, S. Osaka, K. Takahashi, H. Tabata, K. Kaneko, S. Fujita, and M. Katayama, “Surface termination structure of α-Ga2O3 film grown by mist chemical vapor deposition” Applied Physics Letters, Vol.108 pp.251602(1-5) (2016).
  22. K.Kaneko, K. Suzuki, Y. Ito, and S. Fujita, “Growth characteristics of corundum-structured α-(AlxGa1-‑x)2O3/Ga2O3heterostructures on sapphire substrates” Journal of Crystal Growth, Vol.436, pp.150-154 (2016).
  23. K.Kaneko, T. Onuma, K. Tsumura, T. Uchida, R. Jinno, T. Yamaguchi, T. Honda, and S. Fujita, “Growth of rocksalt-structured MgxZn1-xO (x>0.5) films on MgO substrates and their deep-ultraviolet luminescence”, Applied Physics Express, Vol.9, 111102(1-4) (2016).
  24. 金子健太郎, 織田真也, 高塚章夫, 人羅俊実, 藤田静雄,「コランダム構造酸化ガリウムの結晶成長とデバイス応用」　材料, 第65巻, 第9号, pp.631-637 (2016).
  25. S.-D. Lee, Y. Ito, K. Kaneko, and S. Fujita, “Enhanced thermal stability of alpha gallium oxide films supported by aluminum doping” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, No.3, 030301(1-4) (2015).
  26. S.Yao, T. Sato, K. Kaneko, S. Murai, K. Fujita, and K. Tanaka, “Faraday Effect of Bismuth Iron Garnet Thin Film Prepared by Mist CVD Method” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, 063001(1-6) (2015).
  27. 柴山健次, 金子健太郎, 藤田静雄, 「超音波噴霧ミスト法によるCu2ZnSnS4薄膜の成膜」材料 第64巻, 第5号, p.410-413 (2015).
  28. K.Akaiwa, K. Kaneko, S. Fujita, E. Chikoidze, and Y. Dumont, “Room temperature ferromagnetism in conducting α-(In1-xFex)2O3 alloy films” Applied Physics Letters, Vol.106, No.6, 062405(1-4) (2015).
  29. K.Kaneko, Y. Ito, T. Uchida, and S. Fujita, “Growth and metal-oxide-semiconductor field-effect transistors of corundum-structured alpha indium oxide semiconductors”, Applied Physics Express, Vol.8, No.9, 095503(1-4) (2015).
  30. N.Suzuki, K. Kaneko, and S. Fujita, “Growth of corundum-structured (InxGa1-x)2O3 alloy thin films on sapphire substrates with buffer layers” Journal of Crystal Growth, Vol 401, pp.670-672 (2014).
  31. S.Komori, R. Inaba, K. Kaneko, S. Fujita, I. Kakeya, and M/ Suzuki, “Epitaxial growth and superconducting anisotropy of PbSr2Y1−xCaxCu2O7+δ thin films” Physical Review B, Vol.89, 174509(1-5) (2014).
  32. S.Fujita, K. Kaneko, T. Ikenoue, T. Kawaharamura, and M. Furuta, “Ultrasonic-assisted mist chemical vapor deposition of II-oxide and related oxide compounds” Physica Status Solidi (c), Vol.11, Nos.7-8, pp.1225-1228 (2014).
  33. S.Fujita and K. Kaneko, “Epitaxial growth of corundum-structured wide band gap III-oxide semiconductor thin Films” Journal of Crystal Growth, Vol 401, pp.588-592 (2014).
  34. S.Yao, T. Sato, K. Kaneko, S. Murai, K. Fujita, and K. Tanaka, “Preparation of yttrium iron garnet thin films by mist chemical vapor deposition method and their magneto-optical properties” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, 05FB17(1-5) (2014).
  35. K.Kaneko, H. Ito, S.D. Lee, and S. Fujita, “Oriented growth of beta gallium oxide thin films on yttrium-stabilized zirconia substrates”, Physica Status Solidi (c), Vol.10, No.11, pp.1596-1599 (2013).
  36. K.Kaneko, I. Kakeya, S. Komori, and S. Fujita, “Band gap and function engineering for novel functional alloy semiconductors: Bloomed as magnetic properties at room temperature with α-(GaFe)2O3”, Journal of Applied Physics, Vol.113, 233901(1-6) (2013).
  37. M.Suzuki, K. Kaneko, and S. Fujita, “Growth of corundum-structured In2O3 thin films on sapphire substrates with Fe2O3 buffer layers” Journal of Crystal Growth, Vol.364, pp.30-33 (2012).
  38. H.Ito, K. Kaneko, and S. Fujita, “Growth and band gap control of corundum-structured α-(AlGa)2O3 thin films on sapphire by spray-assisted mist chemical vapor deposition”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.51, No.10, 100207(1-3) (2012).
  39. K.Kaneko, H. Kawanowa, H. Ito, and S. Fujita, “Evaluation of misfit relaxation in α-Ga2O3 epitaxial growth on α-Al2O3 substrate”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.51, No.2, 020201(1-3) (2012).
  40. 井川拓人, 金子健太郎, 藤田静雄 「超音波噴霧ミストCVD法によるリチウム系酸化物の成膜」　材料, 第60巻, 第11号, pp.994-997 (2011).
  41. K.Kaneko, T. Nomura, and S. Fujita, “Corundum-structured α-phase Ga2O3-Cr2O3-Fe2O3alloy system for novel functions”, Physica Status Solidi (c), Vol.7, Iss.10, pp.2467-2470 (2010).
  42. 金子健太郎, 野村太一, 福井裕, 藤田静雄, 「ミストCVD法によるコランダム型構造酸化物半導体薄膜の作製と評価」材料, 第59巻, 第9号, pp.686-689(2010).
  43. K.Kaneko, T. Nomura, I. Kakeya and S. Fujita, “Fabrication of highly crystalline corundum-structured a-(Ga1-xFex)2O3 alloy thin films on sapphire substrates”, Applied Physics Express, Vol.2, No.7, pp.075501(1-3)(2009).

査読付き研究論文(プロシーディング等)

  1. (Invited) K.Kaneko, K. Tsumura, K. Ishii, T. Onuma, T. Honda and S. Fujita, “Deep-ultraviolet luminescence of rocksalt-structured MgxZn1-xO (x>0.5) films on MgO substrates”, Journal of Electronics Materials, online first (2018). (DOI: 10.1007/s11664-018-6303-9)
  2. T.Uchida, K. Kaneko, and S. Fujita, “Control of crystal structure of Ga2O3 on sapphire substrates by introduction of α-(AlxGa1-x)2O3 buffer layer” MRS Advances, Vol.3, No.3, pp.171-177 (2018).
    (DOI: 10.1002/pssb.201700326)
  3. K.Kaneko, S. Fujita, “Corundum-structured α-In2O3as a wide-bandgap semiconduct-or for electrical devices”, MRS Advances, Vol.2, pp.301-307 (2017). (DOI:10.1557/adv.2017.99)
  4. K.Akaiwa, K. Kaneko, and S. Fujita, “Fabrication of Corundum-Structured a-(In,Fe)2O3 Alloy Films on Sapphire Substrates by Inserting a-Fe2O3 Buffer Layer” Materials. Research Society Symposium Proceedings Vol. 1494, pp.221-225 (2013). (DOI: 10.1557/opl.2013.125 )
  5. K.Kaneko, S. Fujita, “Crystal structure of non-doped and Sn-doped a-(GaFe)2O3 thin films” Materials. Research Society Symposium Proceedings, Vol. 1494, pp.147-152 (2013). (DOI: 10.1557/opl.2013.5)
  6. S.Fujita, K. Kaneko, and T. Nomura, “Mist Deposition Technique as a Green Chemical Route for Synthesizing Oxide and Organic Thin Films” Materials. Research Society Symposium Proceedings, Vol.1220, BB04-06 (2011). (DOI: 10.1557/PROC-1220-BB04-06)

総説・解説論文

  1. 金子健太郎, 藤田静雄「準安定相(非平衡)酸化物の作製と物性」, 材料, 第68巻, 第10号, pp.733-738 (2019).
  2. (招待論文) 金子健太郎「酸化物半導体の物性とデバイス応用」, 材料, 第66巻, 第1号, pp.58-65 (2017).
  3. 人羅俊実、金子健太郎、藤田静雄　「パワーデバイス用Ga2O3結晶」電気学会誌, 第137巻, 第10号, pp.693-696 (2017).
  4. 藤田静雄、大島孝仁、金子健太郎 「酸化ガリウム半導体の表面制御と高品質単結晶薄膜の作製」表面科学, 第31巻, 第12号, pp.643-650 (2010).
  5. 藤田静雄、大島孝仁、金子健太郎 「ワイドギャップ酸化ガリウム半導体」
    応用物理, 第78巻, 第12号, pp.1150-1154 (2009).

国際会議発表(招待)

  1. K.Kaneko, T. Shinohe, and S. Fujita. “Corundum-structured oxides for power device applications fabricated by Mist CVD technique” The 13th Pacific Rim Conference of Ceramic Societies (PACRIM13),
    Okinawa, Japan. 2019年10月30日
  2. K.Kaneko, T. Shinohe, and S. Fujita. “P-type α-(Ir,Ga)2O3 thin films in Gallium Oxide Electronics” 13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM) 2019, Toyama, Japan. 2019年8月27日
  3. K.Kaneko, S. Kan, T. Shinohe, and S. Fujita. “P-type Semiconductor Oxides in Gallium Oxide Electronics” Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD) 2019, Busan, Korea. 2019年7月3日
  4. K.Kaneko, S. Takemoto, S. Kan, T. Shinohe, and S. Fujita. “P-type semiconductors in gallium oxide electronics” Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS-MANTECH) 2019, Minneapolis, USA. 2019年5月3日
  5. K.Kaneko, T. Shinohe, and S. Fujita. “Potential of non-equilibrium oxides of α-Ga2O3 and α-Ir2O3 for power device applications” International Conference on Electronics Packaging (ICEP) 2019, Niigata, Japan. 2019年4月19日
  6. K.Kaneko, T. Shinohe, and S. Fujita. “Novel power devices based on a-Ga2O3”
    International Conference on Electronics Packaging and iMAPS All Asia Conference (ICEP-IAAC) 2018,
    Mie, Japan. 2018年4月17日
  7. K.Kaneko, T. Hitora, and S. Fujita. “Ga2O3 and p-type Ir2O3 for the future power device applications”
    4th Japan Science and Technology Agency (JST) SAKURA science workshop, Tsukuba, Japan.
    2018年2月28日
  8. K.Kaneko, T. Shinohe, and S. Fujita. “Power device applications of Ga2O3 for SBDs and bipolar devices”
    IEEE CPMT Symposium Japan 2017, Kyoto, Japan.
    2017年11月20日
  9. K.Kaneko, T. Hitora, and S. Fujita. “Gallium oxide power devices fabricated by novel processes”
    232nd Electrochemical Society Meeting, Semiconductor Process Integration 10, Washington D.C., USA
    2017年10月1日
  10. K.Kaneko, K. Ishii, T. Onuma, and S. Fujita. “Deep-ultraviolet luminescence of highly-crystalline rocksalt-structured MgxZn1-xO (x>0.5) films on MgO substrates”
    18th International Conference on II-VI Compounds and Related materials, San Juan, Puerto Rico
    2017年9月29日
  11. K.Kaneko, T. Hitora, and S. Fujita. “Explore of corundum-structured alloys with novel functions”
    15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017), Kyoto, Japan
    2017年8月29日
  12. K.Kaneko, S. Fujita, and T. Hitora. “An novel power device material of corundum-structured α-Ga2O3 generated by MIST EPITAXYÒ technique”
    6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, Fukui, Japan  2017年6月20日
  13. K.Kaneko, M. Oda, T. Hitora, and S. Fujita.
    “Corundmu-structured α-Ga2O3 based alloys for future power device applications”
    IEEE 2017 International Conference on Electronics Packaging, Tendo, Japan  2017年4月19日
  14. K.Kaneko and S. Fujita, “Epitaxial growth of metastable oxide thin films under atmosphere”
    EMN 3CG 2015 Collaborative Conference on Crystal Growth, Hong Kong  2015年12月14日
  15. K.Kaneko and S. Fujita, “A novel alloy system based on corundum-structured compounds and their device applications”
    2015 Energy Materials Nanotechnology (EMN) Istanbul Meeting, Istanbul, Turkey　2015年7月3日
  16. K.Kaneko and S. Fujita, “Prospective functional materials based on metastable-phased oxides”
    Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2014, Inchon, Korea  2014年6月2日

国内会議発表(招待)

  1. 金子健太郎、藤田静雄 「酸化ガリウムp型層実用化について」エレクトロニクス実装学会　電子部品・実装技術公開研究会 (web) 2020年11月27日
  2. 金子健太郎、藤田静雄　「準安定相化合物合成と新規機能開拓、そしてその応用～新物質の宝探し～」応用物理学会　関西支部第3回講演会　産業技術総合研究所　関西センター　
    2020年2月21日
  3. 金子健太郎、四戸孝、藤田静雄
    「実用化が迫る酸化ガリウムデバイスの最前線とp型層実現へのアプローチ」
    SEMICON Japan 2019　東京ビックサイト　　2019年12月11日
  4. 金子健太郎
    「非平衡(準安定相)系半導体材料の宝探しとデバイス、システムへの総合的な応用」
    電子材料シンポジウム(EMS) 若手チュートリアル　橿原市商工経済会館　2019年10月8日
  5. 金子健太郎、四戸孝、藤田静雄「a-Ga2O3のデバイス実用化とp型層の魅力」
    日本結晶成長学会　第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　
    広島大学　2019年6月13日
  6. 金子健太郎、四戸孝、藤田静雄「酸化ガリウムデバイスの実用化とp層作製」　
    日本学術振興会　先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会　研究会　
    東京工業大学　2019年5月31日
  7. 金子健太郎　「酸化ガリウムおよびそのp型層となる材料の開拓」　
    エレクトロニクス実装学会　部品内蔵技術委員会研究会　東京　回路会館　2019年3月5日
  8. 金子健太郎　「酸化ガリウムエレクトロニクスにおけるp型作製の手法」　
    エレクトロニクス実装学会　パワーエレクトロニクス研究会公開研究会　
    東京　回路会館　2019年2月19日
  9. 金子健太郎　「コランダム構造酸化物の魅力的な物性」　日本材料学会半導体エレクトロニクス委員会　第1回特別講演・セミナー　　大阪市立大学　　2018年6月16日
  10. 金子健太郎　「次世代ワイドバンドギャップ素子　酸化ガリウム半導体の開発状況と未来」
    第33回 電源システム技術シンポジウム (テクノフロンティア2018)
    東京　幕張メッセ　2018年4月19日
  11. 金子健太郎　「ミストCVD法を用いたデバイス応用」
    一般社団法人電子実装工学研究所　　東京大学　2018年3月9日
  12. 金子健太郎　
    「パワーエレクトロニクス 低損失・低コスト・最高性能新材料(a-Ga2O3)の開発方向性」
    国立開発法人　科学技術振興機構(JST) 研究開発戦略センター(CRDS) 俯瞰ワークショップ　ナノテクノロジー・材料分野　区分別分科会　「再生可能エネルギー大量導入時代を見据えたエネルギー材料・デバイス研究開発」　東京　　2017年12月13日
  13. 金子健太郎、石井恭平、藤田静雄　「MgZnO混晶を用いた真空紫外(200nm以下)固体光源に関する研究」　日本学術振興会　光電変換第125委員会　研究会
    キャンパスプラザ京都　2017年10月25日
  14. 金子健太郎　「コランダム構造酸化ガリウム半導体の開発状況と未来」
    日経エレクトロニクス　先端テクノロジーフォーラム　次世代パワー半導体のインパクト
    東京　ソラシティホール　2017年7月7日
  15. 金子健太郎　「酸化ガリウムでパワー半導体　-課題を一掃し次世代の本命へ-」
    日経エレクトロニクス×日経テクノロジー　パワーエレクトロニクス・サミット2016　
    東京　秋葉原コンベンションホール　2016年11月29日
  16. 金子健太郎、藤田静雄　「ミストCVDを利用した機能性酸化物の作製」
    第4回　酸化物研究の新機軸に向けた学際討論会 「ナノ酸化物で見える化学と物理：新展開と異分野融合」　黄檗プラザ　京都大学　2016年8月5日
  17. 金子健太郎、伊藤大師、赤岩和明、鈴木規央、藤田静雄
    「コランダム型構造酸化物の作製と磁気特性」
    2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会　 早稲田大学　2012年3月16日

その他国内会議招待講演

  1. 金子健太郎、藤田静雄　「準安定相化合物合成による新しい機能の開拓～新物質の宝探し～」
    日本技術士会化学部会　　機械振興会館　　2020年1月23日
  2. 金子健太郎「理工系学生・研究者のキャリアデザイン」
    第32回電子材料シンポジウム (EMS32)　ラフォーレ琵琶湖　パネリスト　2013年7月10日
  3. 金子健太郎、人羅俊実、藤田静雄「京大発ベンチャーROCA株式会社の事業化事例」
    ジャパンオープンイノベーションプラットフォーム　 東京大学　　2013年3月23日

立命館大学 総合科学技術研究機構 金子研究室

〒525-8577 滋賀県草津市野路東1-1-1
立命館大学びわこくさつキャンパス
ハイテクリサーチセンター　141号室  143号室 (金子研学生居室・実験室)
防災システムリサーチセンター　107号室 (金子居室)

　
ご連絡は電子メールにて下記アドレスへお願いします。

E-mail:ken0710(at)fc.ritsumei.ac.jp ※(at)を@に変換して下さい。