査読付き研究論文

1. K.Kaneko, Y.Masuda, S. Kan, I. Takahashi, Y. Kato, T. Shinohe, and S. Fujita, “Ultra-wide bandgap corundum-structured p-type a-(Ir,Ga)₂O₃ alloys for a-Ga₂O₃ electronics” Applied Physics Letters, Vol. 118, pp.102104(1-4) (2021). (DOI: 10.1063/5.0027297) .
2. H. Takane, K. Kaneko, “Establishment of a growth route of crystallized rutile GeO₂ thin film (≧ 1 mm/h) and its structural properties” Applied Physics Letters Vol.119, pp.062104(1-6) (2021).　
3. 金子健太郎，尾沼猛儀，藤田静雄，「真空紫外領域(200 nm以下)で発光する半導体材料の研究」材料 70 巻 10 号 727-731 (2021).
4. R Jinno, K Kaneko, S Fujita, “Thermal stability of α-(Al _x Ga_1–x) ₂O₃ films grown on c-plane sapphire substrates with an Al composition up to 90%” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.60, pp. SBBD13(1-4) (2021).
5. H. Takane, K. Kaneko, T. Shinohe, and S. Fujita, “Analysis of Deep Traps in Mist Chemical Vapor Deposition grown n-Type α-Ga₂O₃ by Photocapacitance Method” Physica Status Solidi (b), pp.2000622(1-6) (2021).
6. H. Takane, K. Kaneko, Y. Ota, and S. Fujita, “Initial nucleation scheme of Ga₂O₃ on (0001) sapphire by mist CVD for the growth of α-phase” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.60, pp. 055501(1-8) (2021).
7. A. Taguchi, S. Takahashi, A. Sekiguchi, K. Kaneko, S. Fujita, T. Onuma, T. Honda, T. Yamaguchi, “Mist Chemical Vapor Deposition Growth of α-In₂O₃ Films Using Indium Oxide Powder as Source Precursor” Physica Status Solidi (b), pp. 2100414 (1-4) (2021).
8. （招待論文・解説）K.Kaneko “Synthesis of Metastable or Non-Equilibrium-Phased Oxides by the Mist CVD method”, Journal of the Society of Materials Science, Japan Vol.70, No.5, pp. 369-373(2021). (DOI: 10.2472/jsms.70.369)

国際会議発表

1. H. Takane, K. Kaneko, Y. Ota and S. Fujita, “On the Initial Growth Mechanisms of α-Phase Ga2O3 on C-Plane Sapphire by Mist CVD” 63rd Electronic Materials Conference, MM02 (Online)
2. H. Takane, K. Kaneko, “High-Speed Growth of Epitaxial Rutile GeO2 Thin Film on (001) TiO2 Under Highly Oxygen-Rich Condition and Its Structural Analysis“, 240th ECS Meeting, Late H-1902 (Online)
3. H. Takane, K. Kaneko, T. Shinohe and S. Fujita, “Study on Deep Traps in α-Ga2O3 on m-plane Sapphire by Photocapacitance Method and Deep Level Optical Spectroscopy” 10th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ2021), Session 12, 6 (Kyoto, Japan)

国内会議発表(招待)

1. 金子健太郎　
   「a-Ga₂O₃/a-(Ir,Ga)₂O₃ pn接合のデバイス特性と新しい超ワイドギャップ半導体の合成」
   独立行政法人日本学術振興会　「結晶加工と評価技術」第145 委員会
   第173 回研究会　2021年12月8日
2. 金子健太郎、高根倫史「二酸化ゲルマニウム(GeO₂)の合成とパワーデバイスへの応用展望」
   日本セラミックス協会 電子材料部会　第41 回電子材料研究討論会　2021年11月4日
3. 金子健太郎　「酸化物パワーエレクトロニクス用新材料・新プロセスの未来展望」
   独立行政法人日本学術振興会　R032産業イノベーションのための結晶成長委員会
   第3回研究会　2021年9月24日
4. 金子健太郎、高根倫史、太田優一、藤田静雄「X線マイクロビームを用いた準安定相酸化物の成長機構解明」
   第18回SPring-8産業利用報告会 　神戸国際会議場　　2021年9月2日
5. 金子健太郎　「超ワイドギャップ酸化物を用いたパワーデバイス研究」
   独立行政法人日本学術振興会　透明酸化物光・電子材料第166委員会　
   第90回研究会　2021年7月30日
6. 金子健太郎、藤田静雄　「実用化が始まった酸化ガリウムの現状とp型層の魅力」　　　　
   2021年第68回 応用物理学会 春季学術講演会　2021年3月16日
7. 金子健太郎、藤田静雄　「準安定相および非平衡系材料の合成と新規機能開拓」
   2021年第68回 応用物理学会 春季学術講演会　2021年3月16日

国内会議発表

1. 高根倫史, 金子健太郎, 太田優一, 藤田静雄「C面サファイア基板上α-Ga2O3の成長初期段階における成長メカニズム」第68回応用物理学会春季学術講演会、発表番号「19a-Z33-11」
2. 菊池瑛嗣, 金子健太郎, 藤田静雄「ミストCVD法を用いたSi基板上酸化ガリウム薄膜成長」応用物理学会関西支部2021年度第1回講演会、発表番号「P-15」
3. 赤石智悠, 四戸孝, 金子健太郎「ミストCVD法によるIrBr3前駆体を用いたα-Ir2O3薄膜の成長」第82回応用物理学会秋季学術講演会、発表番号「23p-P12-1」
4. 高根倫史, 柳生慎悟, 四戸孝, 金子健太郎「高品質ルチル型GeO2薄膜の結晶成長および構造解析」第82回応用物理学会秋季学術講演会、発表番号「12p-N206-3」