査読付き研究論文

1. (Invited) K.Kaneko, K. Uno, R. Jinno and S. Fujita, “Prospects for phase engineering of semi-stable Ga₂O₃ semiconductor thin films using mist chemical vapor deposition” Journal of Applied Physics Vol. 131, pp. 090902(1-15) (2022) (DOI:10.1063/5.0069554)
2. (Invited) K.Kaneko, and S. Fujita, “Novel p‑type oxides with corundum structure for gallium oxide electronics” Journal of Materials Research Vol.37, pp. 651–659 (2022) (DOI:10.1557/s43578-021-00439-4)
3. H. Takane, Y. Ota, T. Wakamatsu, T. Araki, K. Tanaka and K. Kaneko, “Band-gap engineering of rutile-structured SnO2 – GeO2 – SiO2 alloy system” Physical Review Materials Vol.6, p.084604 (2022) (DOI:10.1103/6.084604)
4. 菊池瑛嗣、金子健太郎、藤田静雄「ミストCVD法を用いたSi基板上Ga2O3成長」材料71巻10号 835-840 (2022) (DOI:10.2472/71.835)

国際会議発表(招待)

1. K.Kaneko, “New power device material : GeO2” International Conference on II-VI Semiconductors 2022 (Bath, UK)

国際会議発表

1. H. Takane, K. Kaneko, “Growth and analysis of rutile-structured (Ge,Sn)O2 alloy thin films“, APS March Meeting 2022, M10.00012 (Chicago, US)
2. H. Takane, Y. Ota, T. Wakamatsu, T. Araki, K. Tanaka and K. Kaneko, “A novel ultra-wide bandgap alloy system based on rutile-type oxides” EMRS 2022 (Warsaw U. Tech, Poland)
3. H. Takane, T. Wakamatsu, K. Kaneko and K. Tanaka, “Depth-dependent dislocation density and electrical properties of α-Ga2O3 film on sapphire substrate” EMRS 2022 (Warsaw U. Tech, Poland)
4. T. Wakamatsu, H. Takane, K. Kaneko, I. Kakeya, T. Shinohe, and K. Tanaka “Dielectric properties of α-Ga2O3 characterized by terahertz time domain spectroscopy” EMRS 2022 (Warsaw U. Tech, Poland)
5. T. Wakamastu, H. Takane, K. Kaneko, T. Araki and K. Tanaka, “Influence of synthesis conditions on growth of α-Ga2O3 film in Mist-CVD process” The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022) (Nagano, Japan)
6. H. Takane, H. Izumi, H. Hojo, T. Wakamatsu, K. Tanaka and K. Kaneko, “Effect of dislocation and impurity on electrical properties of Si-doped α-Ga2O3 on sapphire substrate” The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022) (Nagano, Japan)
7. S. Fujita, K. Kaneko and K. Tanaka, “Progress of α-Ga2O3 for actual device applications” The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022) (Nagano, Japan)
8. S. Yamashita, H. Takane, Y. Wada, Y. Yamafuji, J. Kikawa, M. Matsukura, T. Kojima, T. Shinohe, K. Kaneko and T. Araki, “Growth of Ga2O3 film on ScAlMgO4 substrate by mist-CVD” The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2022) (Nagano, Japan)

国内会議発表(招待)

1. 金子健太郎「酸化ガリウムの実用化と今後の展望、次の新材料の出現」40周年記念Flat Panel Display フォーラム 5月27日　ホテル日航プリンセス京都
2. 金子健太郎「新しい超ワイドバンドギャップp型半導体の開拓」
   ワイドギャップ半導体学会 (WideG) 第５回研究会 2022年3月11日(オンライン)
3. 金子健太郎 「新しいパワーデバイス材料とその実用化：酸化ガリウム、そして二酸化ゲルマニウムの可能性」
   一般社団法人エレクトロニクス実装学会関西支部 主催 第19回 技術講演会
   『脱炭素社会に向けて加速するニュータイプ・パワー半導体材料・実装技術最前線』　2022年3月7日(オンライン)
4. 高根倫史,、太田優一、若松岳、荒木努、田中勝久、金子健太郎「新規ルチル型 SnO2-GeO2-SiO2 混晶系の開発」,第41回電子材料シンポジウム, We1-9

国内会議発表

1. 高根倫史、泉宏和、若松岳、田中勝久、金子健太郎「m 面サファイア上α-Ga2O3におけるキャリア輸送特性と転位による影響」第69回応用物理学会春季学術講演会、発表番号「25p-E202-12」2022年3月25日
2. 若松岳、高根倫史、金子健太郎、田中勝久「α-Ga2O3厚膜の作製」第69回応用物理学会春季学術講演会、発表番号「25a-F307-7」2022年3月25日
3. 高根倫史、若松岳、田中勝久、四戸孝、金子健太郎「ルチル型 GexSn1-xO2混晶薄膜の作製とその基礎物性」第69回応用物理学会春季学術講演会、発表番号「26a-E202-6」2022年3月26日
4. 守屋亮、高根倫史、山下修平、山藤祐人、城川潤二郎、松倉誠、小島孝広、四戸孝、金子健太郎、荒木努「ミストCVD法によるScAlMgO4基板上Ga2O3成長」第69回応用物理学会春季学術講演会、発表番号「26p-E202-5」2022年3月26日
5. 菊池 瑛嗣、金子 健太郎、藤田 静雄「ミストCVD法を用いたSi基板上Ga2O3成長」第83回応用物理学会秋季学術講演会、発表番号「20p-B203-22」2022年9月20日
6. 大塚知紀、菊池瑛嗣、服部太政、荒木努、金子健太郎「導電性発現をめざした岩塩構造MgZnO薄膜の成長」第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022年11月25日
7. 服部太政、田中考、菊池瑛嗣、大塚知紀、荒木努、金子健太郎「ミストCVD法によるメタノールレスITO膜の作製」第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022年11月25日
8. 菊池瑛嗣、大塚知紀、服部太政、金子健太郎「高速α-(Ir,Ga)2O3成長と組成制御」第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2022年11月25日